Samsung e SK Hynix avançam no desenvolvimento de chips de memória
As duas gigantes sul-coreanas apresentaram no SEDEX 2026, em Seul, as próximas gerações de memória para inteligência artificial, da HBM4 à HBM4E, passando por novas arquiteturas de empilhamento.
A Samsung Electronics e a SK Hynix, os dois maiores fabricantes mundiais de memória, mostraram os seus avanços mais recentes no SEDEX 2026, a principal feira de semicondutores da Coreia do Sul, que decorreu em Seul entre 14 e 16 de outubro. O certame reuniu cerca de 300 empresas em 888 espaços de exposição.
No primeiro dia, o diretor de tecnologia da Samsung, Song Jae-hyuk, e o responsável pelo desenvolvimento da SK Hynix, Ahn Hyun, percorreram vários pavilhões acompanhados pelo deputado Lee Jun-seok e por representantes do setor.
Em resumo
- A SK Hynix destacou a memória HBM4 concebida para a plataforma Vera Rubin, da Nvidia.
- A empresa apresentou ainda a High Bandwidth Flash, que empilha chips de memória NAND para aumentar a capacidade de armazenamento.
- A Samsung mostrou a tecnologia zHBM, que coloca a memória sobre o processador gráfico em vez de ao lado.
- A Samsung exibiu também a HBM4E e confirmou estar a desenvolver DRAM 4F².
SK Hynix aposta na parceria com a Nvidia
A SK Hynix deu particular destaque à colaboração com a Nvidia, expondo a sua memória HBM4 pensada para a próxima plataforma de IA da fabricante de processadores gráficos, a Vera Rubin. Num dos momentos da visita, Song Jae-hyuk observou um módulo HBM autografado pelo presidente executivo da Nvidia, Jensen Huang.
A empresa apresentou também a High Bandwidth Flash, uma nova tecnologia que empilha chips de memória flash NAND para oferecer uma capacidade de armazenamento muito superior, procurando responder à procura crescente de memória nos sistemas de inteligência artificial.
Samsung mostra memória sobre o processador gráfico
Do lado da Samsung, a novidade foi a zHBM, uma arquitetura que posiciona a memória por cima do processador gráfico, e não lateralmente como acontece atualmente. A empresa espera que este desenho melhore o desempenho e a eficiência energética. Foram ainda exibidas a memória HBM4E, de geração seguinte, e tecnologias avançadas de fabrico de chips.
No final da visita, Song Jae-hyuk confirmou que a Samsung está a desenvolver DRAM 4F², uma técnica que reduz o espaço ocupado por cada célula de memória, permitindo integrar mais capacidade numa área menor. A chinesa CXMT trabalha igualmente nesta tecnologia.
Uma corrida que se foi equilibrando
A SK Hynix lidera há algum tempo o mercado de memória de elevada largura de banda (HBM), essencial para os aceleradores de IA, mas a Samsung tem vindo a recuperar terreno. Segundo a TrendForce, a receita da Samsung com HBM4 deveria superar os 1,2 mil milhões de dólares até ao fim de junho, apoiada na utilização de um processo de 4 nanómetros no chip base. Na altura, a mesma publicação indicava que a SK Hynix estava a abrandar o ritmo de produção de HBM4, dando mais atenção à DRAM convencional, onde os preços eram mais favoráveis, com volumes significativos previstos para o terceiro trimestre.
A procura de memória continua a sustentar os resultados do setor. As exportações sul-coreanas de semicondutores atingiram um recorde de 46,7 mil milhões de dólares em agosto, mais 209% do que um ano antes. Os investidores acompanham agora a divulgação dos resultados da SK Hynix, marcada para 27 de outubro.
